太(tai)陽能(neng)(neng)作為一種可(ke)再生的清潔能(neng)(neng)源(yuan)，是(shi)新能(neng)(neng)源(yuan)研究和開發利用的重點。利用太(tai)陽光(guang)(guang)能(neng)(neng)最直(zhi)(zhi)接、最有效的手段(duan)是(shi)光(guang)(guang)伏(fu)(fu)電池，而光(guang)(guang)伏(fu)(fu)電池產(chan)業發展(zhan)的核心則是(shi)光(guang)(guang)伏(fu)(fu)材料， 其類別和質(zhi)量(liang)直(zhi)(zhi)接影響(xiang)到(dao)光(guang)(guang)伏(fu)(fu)電池的成(cheng)本和光(guang)(guang)電轉換效率(lv)， 目前主(zhu)要(yao)的光(guang)(guang)伏(fu)(fu)材料包括(kuo)晶硅、 碲化鎘（CdTe）基(ji)系(xi)列(lie)、 銅銦鎵(jia)硒（CIGS）基(ji)系(xi)列(lie)、異(yi)質(zhi)結（HJT）等。

多晶(jing)硅硅板(ban)材(cai)電板(ban)互轉效果高(gao)，技能(neng)也在(zai)于穩重， 但成本(ben)低高(gao)。

碲化鎘（CdTe）是II-VI族(zu)氧化物，屬可以直接(jie)帶隙光(guang)電(dian)器件(jian)原料，其(qi)光(guang)譜圖(tu)分析反(fan)應(ying)依據(ju)與(yu)日頭能(neng)光(guang)譜圖(tu)分析消耗的(de)能(neng)量生(sheng)長(chang)相(xiang)當(dang)縫合，光(guang)吸收能(neng)力數值較大，用其(qi)加工為(wei)復(fu)合膜日頭能(neng)電(dian)池充電(dian)，強度僅為(wei)1—2毫(hao)米，對產品的(de)使用量非常小，近年(nian)前來已經變成為(wei)光(guang)伏(fu)太陽能(neng)產品的(de)創新重(zhong)點(dian)。

銅銦鎵硒（CIGS）屬真接帶隙半導體設備文(wen)件，都具有光吸收率基本特性好、更換率高、制造代價及發(fa)熱量低、成分使用量少(shao)等(deng)益處。

HJT（Heterojunction，異(yi)質結）充電(dian)(dian)電(dian)(dian)池系統(tong)集于一身聚酯薄膜充電(dian)(dian)板和(he)晶硅(gui)充電(dian)(dian)板的(de)優(you)缺，分式的(de)運算量(liang)產u盤后能力和(he)投入降低了環(huan)境大，現(xian)已變成 第代人(ren)核心(xin)系統(tong)。

先(xian)導(dao)電科生產(chan)銷售可于太陽(yang)的(de)(de)光能電池(chi)箱的(de)(de)全系作品優品質PVD濺射靶(ba)材和(he)蒸餾產(chan)品， 企業的(de)(de)碲化(hua)鎘(ge)(ge)靶(ba)材（CdTe）、空氣(qi)氧化(hua)銦錫靶(ba)材（ITO）、銅(tong)(tong)銦鎵硒靶(ba)材（CIGS）在全世界光伏系統這個行業擁有很高(gao)(gao)的(de)(de)地位(wei)高(gao)(gao)口碑(bei)好度，時也(ye)打造硒化(hua)鎘(ge)(ge)（CdSe）、碲鋅(xin)鎘(ge)(ge)（CdZnTe）、塑煉鎘(ge)(ge)（CdS）等另外搭配靶(ba)材和(he)銅(tong)(tong)（Cu）、銦（In）、鎵（Ga）、硒（Se）和(he)碲（Te）等高(gao)(gao)純(chun)汽化(hua)材料。

是 集原料料制作與貨品的(de)手工造(zao)成(cheng)為(wei)三合一的(de)結合手工造(zao)成(cheng)商(shang)，先導電科不禁(jin)為(wei)客展示(shi) 全系類貨品的(de)，會為(wei)上下游手工造(zao)成(cheng)商(shang)展示(shi) 產(chan)出廢碎(sui)料的(de)回收并產(chan)品和處(chu)理方式。